Two-dimensional transition metal dichalcogenides (2D TMDs) has attracted much attention in the field of optoelectronics because its tunable bandgaps, strong interaction with light and tremendous capability for development diverse van der Waals heterostructure (vdWHs with other materials.”). 高いキャリア移動度と光透過性を示す二硫化モリブデン（MoS2）原子層は、監視・健康管理から光通信に至るまで、超広帯域光検出器の開発に非常に適している。 本レビューでは、TMDを用いた光検出器について、MoS2系光検出器を中心に簡単に紹介する。 現在の研究では、MoS2ベースのプラズモニックナノ構造、ハライドペロブスカイト-MoS2ヘテロ構造、2D-0D MoS2/量子ドット（QDs）および2D-2D MoS2ハイブリッドvdWH、化学ドープ、MoS2原子層の表面機能化によって電荷キャリア移動度および光吸収度を向上させれば、原子層の光応答が大幅に改善できることが分かっている。 これらの異なる集積化戦略を用いることで、MoS2ハイブリッドヘテロ構造に基づく光検出器は、mA W-1 から1010 A W-1 までの高い光応答性、107から1015 Jonesまでの検出率、数秒からナノ秒（10-9秒）の光応答時間を示し、深紫外線（DUV）から長波長赤外線（LWIR）まで数桁の差があることが明らかにされた。 また、MoS2ベースのグラフェン、カーボンナノチューブ（CNT）、TMD、ZnOとのハイブリッドヘテロ構造から開発されたフレキシブル光検出器についても議論している。 さらに、歪み誘発型およびセルフパワー型のMoS2ベース光検出器についてもまとめている。 光応答性、検出性、応答速度、量子効率、測定波長、入射レーザーパワー密度など、非常に広範なMoS2系光検出器の功程に影響を与える要因について分析した。 また、MoS2や他の2次元TMDベースの光検出器の開発に関する結論と将来の方向性についても概説している

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