Introducción al FET-Transistor de efecto de campo

Hasta ahora hemos hablado de las aplicaciones circuitales de los transistores ordinarios, en los que intervienen tanto agujeros como electrones. Por esta razón, a veces se les llama transistores bipolares. Estos transistores tienen dos inconvenientes principales, a saber, una baja impedancia de entrada debido a la unión de emisores sesgada hacia delante y un nivel de ruido considerable. Ambos inconvenientes se han superado, en gran medida, en el transistor de efecto de campo (FET), que es un dispositivo controlado por el campo eléctrico (o la tensión). Los FET, al poseer todas las ventajas que tienen los tubos y los transistores ordinarios (BJT), están sustituyendo tanto a los tubos de vacío como a los BJT en las aplicaciones.

Un transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo semiconductor de tres terminales (a saber, drenaje, fuente y puerta) en el que la conducción de la corriente se realiza mediante un solo tipo de portadores mayoritarios (electrones en el caso de un FET de canal N o huecos en un FET de canal P). También se le llama a veces transistor unipolar. A diferencia de un transistor bipolar, un FET no requiere prácticamente ninguna corriente de entrada (señal de polarización) y ofrece una resistencia de entrada extremadamente alta, la ventaja más importante sobre un BJT. Tanto los dispositivos BJT como los FET pueden utilizarse para operar en circuitos amplificadores u otros circuitos electrónicos similares, con diferentes consideraciones de polarización.

Hay dos categorías de FET, a saber:

1. Transistores de efecto de campo de unión (abreviado JFET o simplemente JFET). Consulte el enlace para ver la descripción completa.

2. Transistores de efecto de campo de puerta aislada (IGFET), más conocidos como transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico (abreviados MOSFET o MOST).