Einführung in den FET-Feldeffekttransistor

Bislang haben wir die Schaltungsanwendungen von gewöhnlichen Transistoren besprochen, an denen sowohl Löcher als auch Elektronen beteiligt sind. Aus diesem Grund werden sie auch als Bipolartransistoren bezeichnet. Solche Transistoren haben zwei wesentliche Nachteile, nämlich eine niedrige Eingangsimpedanz aufgrund des vorwärtsgerichteten Emitterübergangs und einen erheblichen Rauschpegel. Beide Nachteile wurden weitgehend durch den Feldeffekttransistor (FET) überwunden, der ein durch ein elektrisches Feld (oder eine Spannung) gesteuertes Bauelement ist. Da FETs alle Vorteile von Röhren und gewöhnlichen Transistoren (BJTs) besitzen, ersetzen sie sowohl die Vakuumröhren als auch die BJTs in Anwendungen.

Ein Feldeffekttransistor (FET) ist ein Halbleiterbauelement mit drei Anschlüssen (nämlich Drain, Source und Gate), in dem der Strom nur durch eine Art von Majoritätsträgern (Elektronen im Falle eines N-Kanal-FET oder Löcher in einem P-Kanal-FET) geleitet wird. Er wird manchmal auch als unipolarer Transistor bezeichnet. Im Gegensatz zu einem bipolaren Transistor benötigt ein FET praktisch keinen Eingangsstrom (Vorspannungssignal) und hat einen extrem hohen Eingangswiderstand – der wichtigste Vorteil gegenüber einem BJT. Sowohl BJT- als auch FET-Bauelemente können für den Betrieb in Verstärkerschaltungen oder anderen ähnlichen elektronischen Schaltungen verwendet werden, wobei unterschiedliche Vorspannungen zu berücksichtigen sind.

Es gibt zwei Kategorien von FETs, nämlich:

1. Junction Field-Effect Transistors (abgekürzt JFET’s oder einfach JFET’s). Eine vollständige Beschreibung finden Sie unter dem Link.

2. Isolierschicht-Feldeffekttransistoren (IGFETs), besser bekannt als Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (abgekürzt MOSFETs oder MOSTs).