Introduction to FET-Field Effect Transistor

Até agora temos discutido as aplicações de circuitos de transistores comuns, nos quais participam tanto furos como elétrons. Esta é a razão pela qual estes são por vezes chamados de transístores bipolares. Tais transístores têm dois inconvenientes principais: baixa impedância de entrada devido à junção dos emissores de entrada e nível de ruído considerável. Ambos estes inconvenientes foram superados, em grande parte no transistor de efeito de campo (FET), que é um dispositivo controlado por campo elétrico (ou voltagem). Os FET’s, por possuírem todas as vantagens que os tubos e transistores comuns (BJT’s) possuem, estão substituindo tanto os tubos de vácuo como os BJT’s em aplicações.

Um transistor de efeito de campo (FET) é um dispositivo semicondutor de três terminais (nomeadamente dreno, fonte e porta) em que a condução de corrente é feita por apenas um tipo de portadores maioritários (electrões no caso de um FET de canal N ou orifícios num FET de canal P). Também é às vezes chamado de transistor unipolar. Ao contrário de um transistor bi-parolar, um FET não requer praticamente nenhuma corrente de entrada (sinal de polaridade) e oferece uma resistência de entrada extremamente alta – a vantagem mais importante em relação a um BJT. Os dispositivos BJT ou FET podem ser usados para operar em circuitos amplificadores ou outros circuitos eletrônicos similares, com diferentes considerações de polarização.

Existem duas categorias de FET’s::

1. Transistores de Efeito de Campo de Junção (JFET’s abreviados ou simplesmente JFET’s). Por favor, verifique o link para uma descrição completa.

2. Transístores de efeito de campo isolado (IGFETs), mais conhecidos como transístores de efeito de campo semicondutor metal-óxido (MOSFETs ou MOSTs abreviados).